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第二层 · 美股 · 更新 2026·08·05
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Lam Research

Lam 向存储厂和晶圆代工厂销售刻蚀、沉积设备,并以 CSBG 提供备件与服务。工艺路线随 3D 堆叠推进:NAND 从 128 层向 5xx 层、DRAM 从 1b 向 3D 演进,逻辑端从 GAA 向纳米片与背面供电的亚 1nm 延伸。公司同时跨前道晶圆制造设备与客户支持服务两层,设备装机越多,服务收入基础越厚

LRCX 美股
主层
第二层 · 芯片系统
主子行业
半导体设备与核心材料
总部
美国弗里蒙特
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Lam Research(LRCX.US)

Lam Research 是卡位刻蚀与薄膜沉积环节的全球半导体设备平台,凭刻蚀+沉积双轮和存量服务绑定存储、逻辑及代工客户。 2025 财年营业收入 $184.4 亿,2016 财年至 2025 财年收入年复合增长率 13.5%;2025 财年研发支出 $20.96 亿,研发投入占营收比重超过 10%。

一、主营业务与产品矩阵

  • 刻蚀设备(核心):以干法刻蚀和原子层刻蚀覆盖 NANDDRAM、逻辑与代工客户。随着 NAND 从 128 层向 5xx 层、DRAM 从 1b 向 3D 演进,每片晶圆可服务市场分别增至 1.8 倍和 1.7 倍。
  • 薄膜沉积设备:通过 ALD、batch ALD 等沉积设备补足前道工艺步骤。2012 年以 $33 亿收购 Novellus Systems 后,刻蚀与沉积形成双轮,共享客户与工艺验证。
  • 客户支持业务(CSBG):围绕刻蚀和沉积装机存量提供备件、升级和服务。2025 财年 CSBG 占营收 38.38%,高于 2022 财年 34.30%。

二、产业链位置

上游 · 谁给它供货
半导体设备与核心材料2
中科仪华亚智能
供应
Lam Research
本页 · 产业链位置
供货
下游 · 谁在采购

三、各家研报目标价一览

四家目标价区间 $331—$480;美银使用 CY28E 估值基准,其他三家主要基于 CY27E 或标准化 EPS,远期盈利假设差异是主要分岔。

出具日期 机构 目标价 评级 / 要点
2026-07-13 伯恩斯坦 $340
2026-07-05 高盛 $380 12 个月口径,按 35x 标准化市盈率,较此前 32x 上调
2026-06-23 美银 $480 按 47x CY28E 市盈率,此前为 36x CY27E;依据 CY28E 约 $15 盈利潜力
2026-05-19 摩根士丹利 $331 按 34x CY27E 非 GAAP 市盈率

四、竞争格局

半导体设备市场按环节分层:ASML 处于光刻环节,Lam、Applied Materials东京电子竞争刻蚀与薄膜沉积,SCREEN 参与清洗。Lam 的差异化在于刻蚀+沉积双轮,以及围绕存量机台的 CSBG 服务;在 3D NAND、DRAM 和先进逻辑工艺中,刻蚀和沉积步骤增加有助于提升单片价值量。

短板在于收入对存储资本开支和中国区域需求敏感。按伯恩斯坦统计的中国 WFE 市场份额,Lam 从 2020—2022 年的 21%—22% 回落至 2023—2024 年的 13%,2025 年回升至 14%;在中国市场,东京电子Applied Materials 和 E-Town Semi 等厂商仍在争夺份额。

五、经营数据

指标 2023 2024 2025 2026E 2027E 2028E 来源
中国设备销售额(百万美元) 2,833 3,542 4,843 BofA Securities
GAAP 营业收入(亿美元) 184.4 231.7 314.9 384.9 摩根士丹利
毛利率(%) 48.8 50.2 51.0 51.6 摩根士丹利
Non-GAAP EPS(美元) 4.13 5.72 8.39 10.74 摩根士丹利
库存周转天数(天) 164.0 141.6 132.6 118.8 摩根士丹利

数据来源:BofA Securities 2026-07-21;摩根士丹利 2026-05-19。

六、投资视角:多空逻辑

多头(催化)

  1. 3D 堆叠提升单片设备价值量 — NAND 从 128 层向 5xx 层、DRAM 从 1b 向 3D 演进,每片晶圆可服务市场分别增至 1.8 倍和 1.7 倍。
  2. 刻蚀+沉积协同扩大可参与工艺步骤 — 收购 Novellus 后形成双轮,配合 IBM 纳米片、纳米堆叠和背面供电合作,面向亚 1nm 制程。
  3. 服务业务提高存量收入占比 — CSBG 占营收从 2022 财年 34.30% 升至 2025 财年 38.38%。
  4. 机构上调远期盈利假设 — 高盛将标准化 EPS 预测从 $9.00 上调至 $10.75(高盛,2026-07-05)。

空头(风险)

  1. 存储资本开支周期风险 — 收入与 NAND、DRAM、HBM 资本开支高度相关;摩根士丹利也把 CY27 收入增长归因于 NAND 和 foundry logic(摩根士丹利,2026-05-19)。
  2. 中国区域收入与份额波动 — 2025 年中国设备销售额 $48.43 亿,但中国 WFE 市场份额从 2020—2022 年 21%—22% 回落至 2023—2024 年 13%,2025 年回升至 14%。
  3. 毛利率受区域 mix 压制 — 摩根士丹利认为区域 mix 恶化会压制毛利率,需靠收入增长抵消(摩根士丹利,2026-05-18)。
  4. 估值依赖远期盈利 — 美银估值基准切换到 47x CY28E PE,并依赖 CY28E 约 $15 盈利假设(美银,2026-06-23)。

数据来源

  • 摩根士丹利《Japan Summer School: Semiconductor Production Equipment》2026-07-17
  • 伯恩斯坦《Global Semis and Semi Caps:Global Semis — Can semi cap work if memory doesn't?》2026-07-13
  • 东莞证券《半导体行业2026年下半年投资策略:人工智能持续演进,多重环节有望受益》2026-07-06
  • 高盛《Americas Technology-Semiconductors-2Q Preview-Expect broad upside but run in sto》2026-07-05
  • 美银《US Semiconductors State of the Union-raising estimates as AI extends visibility 》2026-06-23
  • 摩根大通《ASML(ASML.AS)The Street is Behind the Curve: ‘27 ’28 Numbers Need a Rewrite》2026-06-03
  • 伯恩斯坦《China Semiconductors:China Semicap: 2025 WFE Competitive dynamics in China》2026-05-28
  • 摩根士丹利《US Technology Large-Cap Institutional Ownership 1Q26 Mega-Cap Tech Under-Owners》2026-05-19
  • 子行业全景见 半导体设备与核心材料
正文双链:子行业公司概念