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Lam Research
全球刻蚀第一（50%+），原子层刻蚀（ALE）领军者，3D NAND 高深宽比刻蚀核心设备商。
一句话定位
刻蚀 全球 50%+ 第一，ALE 原子层刻蚀技术领先 Applied Materials / 东京电子，加上 CVD / ALD / 电镀 / 清洗，全球设备第四。
关键数据（2023-2024）
| 维度 | 数据 |
|---|---|
| FY2024 营收 | $148.7 亿 |
| 全球设备份额 | 第四（CR5 70%+） |
| 刻蚀市占率 | 50%+（据 2-10 报告） |
| 3D NAND 刻蚀份额 | 60%+ |
| 员工数 | 1.7 万+（2024） |
| 总部 | 弗里蒙特, 加州, 美国 |
核心产品
- Kiyo 导体刻蚀 — 多晶硅/金属栅极刻蚀
- Flex 介质刻蚀 — 氧化物/氮化物刻蚀（3D NAND 沟槽核心）
- Sense.i / Vector ALE — 原子层刻蚀（先进制程 GAA 必备）
- VECTOR PECVD / SPEED HDP — 介质薄膜沉积
- ALTUS ALD — 钨/金属 ALD
- SABRE 电镀 — 铜大马士革
技术亮点 / 护城河
- 3D NAND 刻蚀：200 层以上高深宽比（100:1）刻蚀领先 ≥2 代
- GAA 制程：纳米片选择性刻蚀核心专利
- ALE 原子精度：单原子层精度，2nm/1.4nm 必备
- EUV 工艺集成：与 ASML EUV 联合优化下游刻蚀
AI 时代角色
- 2-04-存储体系 3D NAND 200+ 层、HBM TSV → 刻蚀需求井喷
- NVIDIA B200 / NVIDIA B300 制造链：台积电 4N/3N 制程刻蚀核心
- GAA 晶体管转型（台积电 N2、三星电子 SF2、Intel 18A）→ ALE 渗透
- 中国 中微公司 5nm 入台积电的对标对象
客户与供应链关系
与 AI 产业链关系
↑ up::半导体设备零部件 高纯石英 ↓ down::台积电 三星电子 Intel SK海力士 美光科技 长江存储 ⚔ competitor::Applied Materials 东京电子 中微公司 北方华创 屹唐半导体 拓荆科技 盛美上海 ∈ belongs_to::2-10-半导体设备与核心材料
关键事件
- 1980 — 创立，最早专注等离子刻蚀
- 2012 — 收购 Novellus 进入薄膜沉积
- 2022-10 — 美 BIS 出口管制升级，先进制程刻蚀设备对华禁运
- 2024 — 3D NAND 客户 SK海力士 / 美光科技 扩产推动业绩超预期